技術(shù)編號：9354585
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。以前，作為高品質(zhì)SiC單晶晶片，有的被專利文獻(xiàn)I所公開。在專利文獻(xiàn)I所公開的SiC單晶晶片中，將對器件特性產(chǎn)生不良影響的位錯(cuò)密度設(shè)定為規(guī)定值以下，具體地說，在具有3英寸直徑的晶片中，將位錯(cuò)密度設(shè)定為2500cm 2以下，從而使其適合于器件的制作。這里所說的所謂位錯(cuò)，是指上升為線狀的結(jié)晶缺陷，成為對象的位錯(cuò)是具有與c軸平行的方向的螺旋位錯(cuò)。然而，本發(fā)明人基于實(shí)驗(yàn)等進(jìn)行了潛心的研究，結(jié)果可知即使如專利文獻(xiàn)I所示的那樣，僅將螺旋位錯(cuò)密度設(shè)定為規(guī)定值以下，也不會成...
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