技術(shù)編號(hào)：9354956
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。已經(jīng)研發(fā)各種技術(shù)以從表面直接產(chǎn)生離子。典型的技術(shù)包括解吸電噴霧電離技術(shù)(DESI)和實(shí)時(shí)直接分析技術(shù)(DART)。然而，這樣的表面電離技術(shù)都是通過將高電壓應(yīng)用于氣流以產(chǎn)生離子。高電壓電離技術(shù)的使用需要采用電離源的檢測(cè)設(shè)備，以采用適當(dāng)?shù)念~定配線，電源提供高電壓(HV)，等等。此外，大多數(shù)的高電壓離子源需要使用消耗液體或氣體以正常運(yùn)行。當(dāng)離子源用于手持設(shè)備(例如便攜式檢測(cè)設(shè)備)中時(shí)，這樣的消耗品的使用就是個(gè)劣勢(shì)。發(fā)明內(nèi)容—種利用放射產(chǎn)生離子的表面電離源。在實(shí)施...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。