技術(shù)編號:9377566
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著電子元器件,特別是多層陶瓷電容器(MLCC)微型化、高容量發(fā)展的需要,如先進(jìn)的MLCC產(chǎn)品尺寸已發(fā)展到01005尺寸,傳統(tǒng)的厚膜法制造MLCC已受到材料、漿料、絲網(wǎng)印刷技術(shù)等的諸多限制,難以滿足MLCC元器件進(jìn)一步微小型化發(fā)展的需要。半導(dǎo)體薄膜技術(shù)已成為制造微小型電子元器件的主要發(fā)展方向之一。然而由于MLCC的叉指結(jié)構(gòu),在其制作過程中,電極的圖案是一個關(guān)鍵的技術(shù),現(xiàn)行的電極薄膜圖案化的方法主要有①光刻技術(shù)物理掩膜技術(shù);③無掩膜技術(shù),如采用電子束寫入技術(shù)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。