技術(shù)編號：9377774
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。多晶硅蝕刻作為形成柵極的關(guān)鍵工藝，對蝕刻形貌、線寬、下底的厚度都有著非常嚴(yán)格的要求。目前，普遍采用離子激發(fā)(1n-Assisted)反應(yīng)機(jī)制進(jìn)行蝕刻，即離子轟擊和自由基化學(xué)反應(yīng)并行的模式，通過控制這兩種蝕刻模式所占比例的變化對形貌進(jìn)行調(diào)整。為了得到垂直、光滑的多晶硅蝕刻形貌，1n-Assist反應(yīng)勢必要采用較大比例的離子轟擊反應(yīng)模式，大量的離子轟擊使光阻側(cè)壁發(fā)生硬化，其和蝕刻反應(yīng)氣體生成的副產(chǎn)物(如HBr (溴化氫)與Si (硅)反應(yīng)生成的SiBr4(四溴...
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