技術(shù)編號：9378000
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著薄膜與微納制造技術(shù)的發(fā)展，電子器件正向微型化、高密集復(fù)用、高頻率和低功耗的方向迅速發(fā)展。近年來發(fā)展起來的薄膜體聲波諧振器(FBAR)采用一種先進(jìn)的諧振技術(shù)，它是通過壓電薄膜的逆壓電效應(yīng)將電能量轉(zhuǎn)換成聲波而形成諧振，這一諧振技術(shù)可以用來制作薄膜頻率整形器件等先進(jìn)元器件。FBAR器件具有體積小、工作頻率高、效率高、插入損耗低、帶外抑制大、大功率容量、低溫度系數(shù)以及良好的抗靜電沖擊能力和半導(dǎo)體工藝兼容性等諸多優(yōu)點(diǎn)。利用FBAR技術(shù)可以制作濾波器、振蕩器、雙工...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。