技術(shù)編號(hào)：9378181
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 作為可以實(shí)現(xiàn)高耐壓、低損耗以及高耐熱的第二代的轉(zhuǎn)換器件（switching devices)，使用能帶隙大的氧化鎵（Ga2O3)的半導(dǎo)體裝置受到關(guān)注，被期待適用于逆變器等 電力用半導(dǎo)體裝置。并且，由于具有寬的能帶隙還被期待應(yīng)用于LED或傳感器等光接收/ 發(fā)送裝置。根據(jù)非專(zhuān)利文獻(xiàn)1 (金子健太郎、"剛玉結(jié)構(gòu)氧化鎵類(lèi)混晶薄膜的生長(zhǎng)與物理性 質(zhì)"，京都大學(xué)博士論文，平成25年3月），該氧化鎵可以分別與銦或鋁混合，或與兩者混合 成為混晶從而控制能帶隙，并且作為I...
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