技術(shù)編號：9378186
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，以InGaAs、InP、InAs, GaAs, GaSb等為代表的II1-V族化合物半導(dǎo)體因其具有優(yōu)于硅的電子迀移率或空穴迀移率，被認為是作為后摩爾技術(shù)時代替代硅溝道制作金屬一氧化物一半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)晶體管的重要備選材料。II1-V族襯底與柵介質(zhì)界面普遍存在著大量的界面缺陷密度，通常比Si02/Si的界面陷阱密度高1-2個數(shù)量級，高的界面陷阱密度會大大降低載流子的迀移率，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增大，功耗增加。目前，業(yè)界科研學(xué)者通過采用...
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