技術(shù)編號：9398161
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。集成電路(Integrated Circuit,簡稱IC)技術(shù)遵循“Moore定律”的發(fā)展進(jìn)入了納米尺度，來自短溝道效應(yīng)、寄生效應(yīng)以及量子隧穿等問題的挑戰(zhàn)使得傳統(tǒng)的微電子器件技術(shù)越來越難以滿足IC技術(shù)持續(xù)發(fā)展的要求，特別是日益嚴(yán)重的功耗問題，已經(jīng)成為延續(xù)“Moore定律”的最大瓶頸。隧穿場效應(yīng)晶體管(TunnelingField Effect Transistor,簡稱 TFET)米用帶帶隧穿物理機(jī)制，使其亞閾擺幅不受傳統(tǒng)MOSFET亞閾擺幅極限值KT/q...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。