技術(shù)編號：9402142
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 本發(fā)明涉及常關(guān)晶體管的第III族氮化物層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及在基底上包括層 結(jié)構(gòu)的晶片，涉及常關(guān)晶體管，特別是高電子迀移率晶體管（HEMT)，及涉及集成電路。背景技術(shù) 針對大功率開關(guān)應(yīng)用，有人廣泛地研究了第III族氮化物異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管 (HFETs)。大多數(shù)報道的HFETs是常開型AlGaN/GaN HFETs，其優(yōu)點是由固有極化電場產(chǎn)生 的固有的高的載流子面密度。 然而，常開HFETs無法用于實際的功率開關(guān)應(yīng)用，其中安全關(guān)閉運行是主要的關(guān) 切。因此，...
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