技術(shù)編號(hào)：9416177
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。集成電路涉及對(duì)電子器件(例如晶體管、電阻器、電容器等)、器件間互連線模型的建立。所有的器件和互連線都需安置在一塊半導(dǎo)體襯底材料之上，這些元件通過半導(dǎo)體器件制造工藝(例如光刻等)安置在單一的硅襯底上，從而形成電路。其中，PN結(jié)、MOS管(即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor)等組成了集成電路器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，而MOS場效應(yīng)管憑借其低成本、低靜態(tài)功耗、高集成度、性能優(yōu)越...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。