技術(shù)編號：9417562
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明屬于功率器件領(lǐng)域，特別涉及基于氮化鎵高電子迀移率晶體管（GaN HEMT) 的小信號等效電路模型參數(shù)提取方法。背景技術(shù) 氮化鎵高電子迀移率晶體管（GaN HEMT)由于其高頻、高功率等特性，在微波電路 中的應(yīng)用日益廣泛。由于GaN HEMT需工作于高溫、高功率條件下，因此大信號等效電路模型 是使用GaN HEMT進行微波電路設(shè)計的基礎(chǔ)。在自下而上（bottom up)的建模方法中，準(zhǔn)確 的小信號模型是建立大信號模型的前提，因此小信號模型是器件建模過...
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