技術(shù)編號：9420018
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展，射頻集成電路的忍片也迅速發(fā)展，集成規(guī)模不斷擴(kuò)大， 工作頻率不斷提高，傳統(tǒng)的娃基材料已經(jīng)不能滿足要求。基于氮化嫁襯底的MESFET就是在 運種背景下被提出應(yīng)用，由于氮化嫁材料良好的特性使得由它制造的晶體管具有很高的電 子遷移率，很強的抗福射能力，較大的工作溫度范圍。由于忍片中晶體管的數(shù)量越來越多， 隨之而來的就是集成電路的功耗問題。隨著集成電路的發(fā)展，忍片的規(guī)模變得很大，人們對 于忍片的功耗越來越重視。太高的功耗會對忍片的散熱材料提...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。