技術(shù)編號：9422938
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。以往提出了具備常斷型的HEMT的半導體裝置(例如參照專利文獻I)。具體而言，在該半導體裝置中，構(gòu)成為采用在電子渡越層上以形成異質(zhì)結(jié)的方式層疊電子供給層而成的襯底。并且，在電子供給層中，形成有到達電子渡越層且與電子渡越層和電子供給層的界面垂直的柵槽(gate recess)，在柵槽上隔著絕緣膜形成有柵極電極。此外，在電子供給層上，形成有源極電極以及漏極電極。在這樣的半導體裝置中，形成有到達電子渡越層的柵槽，在電子渡越層中的位于柵槽的底面正下方的部分，不生成基...
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