技術(shù)編號(hào)：9434446
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著超大規(guī)模集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展，MOSFET器件的尺寸在不斷減小，通常包括=MOSFET器件溝道長度的減小，柵氧化層厚度的減薄等以獲得更快的器件速度。但是發(fā)展至超深亞微米級(jí)，特別是45納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)時(shí)，已無法承受持續(xù)降低柵氧厚度所帶來的高漏電。業(yè)界在45納米及以下工藝引入了高k柵極絕緣層和金屬柵的設(shè)計(jì)，在28納米以后，出于高k(高介電值)材料的熱穩(wěn)定性考慮更是統(tǒng)一使用HKMG(高k柵極絕緣層+金屬柵極)的后柵極工藝?，F(xiàn)有技術(shù)利用業(yè)界熟知的冗余多晶硅...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。