技術(shù)編號(hào)：9454247
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在對(duì)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM, SRAM)進(jìn)行讀取時(shí)，SRAM的存儲(chǔ)單元能夠提供的電流大小表征了對(duì)這個(gè)存儲(chǔ)單元的讀取的難易程度。SRAM的存儲(chǔ)單元能夠提供的電流越大，則讀取成功的可能性越高，反之讀取就越容易失敗。在SRAM的測(cè)試電路中，測(cè)試存儲(chǔ)單元的電流大小并對(duì)存儲(chǔ)單元的電流大小做出統(tǒng)計(jì)，能夠幫助SRAM芯片的設(shè)計(jì)者和生產(chǎn)者快速判斷工藝制程的好壞，進(jìn)而對(duì)生產(chǎn)工藝或設(shè)計(jì)做出改進(jìn).現(xiàn)今，專用集成電路(Applicat1nSpecific Integ...
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