技術編號：9457313
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。專利說明 相關申請的交叉引用 本發(fā)明要求申請?zhí)枮?1/767, 318,申請日為2013年2月21日的美國臨時專利的 權益，其全部內容通過引用結合于本文中。 本發(fā)明涉及碳化硅（SiC)單晶，并且，更具體地，涉及使用深能級摻雜劑的氣體源 制造 SiC單晶的方法。背景技術 4H和6H多型碳化硅單晶作為基于SiC和AlGaN半導體設備的晶格匹配的襯底，包 括基于AlGaN的超高頻晶體管和用于電源開關的基于SiC的設備。其它應用包括超快速光 電導開關、用于惡劣環(huán)境...
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