技術(shù)編號(hào)：9490665
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。如圖1所示，是現(xiàn)有具有屏蔽柵(Shield Gate Trench，SGT)的溝槽柵MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖；以N型器件為例，現(xiàn)有具有屏蔽柵的溝槽柵MOSFET的單元結(jié)構(gòu)包括N型娃外延層102，形成于娃襯底101上。娃襯底101為重?fù)诫s并在背面形成有漏極112，硅外延層102為輕摻雜，用于形成漂移區(qū)。在硅外延層102的表面形成有P阱108?！獪喜?03穿過(guò)P阱108進(jìn)入到硅外延層102中，溝槽103中填充由多晶硅柵107和多晶硅屏蔽柵105。多晶硅柵107...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。