技術(shù)編號：9499802
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 本發(fā)明涉及一種S0G-MEMS芯片中防止ICP過度刻蝕的方法，本發(fā)明屬于微機電系 統(tǒng)（MEMS)器件加工領(lǐng)域，特別是針對以硅-玻璃結(jié)構(gòu)制作MEMS器件的干法刻蝕技術(shù)，涉及 一種S0G-MEMS芯片中防止或減小ICP刻蝕中過度刻蝕以及進行終點檢測的方法。背景技術(shù) 基于硅-玻璃鍵合以及ICP深硅刻蝕的S0G-MEMS結(jié)構(gòu)在慣性器件及其他傳感器 中有廣泛的應(yīng)用。在工藝加工過程中，需要先將帶有錨點的硅層鍵合到玻璃層，玻璃層起到 支撐的作用，對硅面進行減薄至所需厚...
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