技術(shù)編號：9502200
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說明具有増強(qiáng)的離子化和RF功率輔合的低電阻率鉆PVD 本申請是2011年06月09日申請的申請?zhí)枮?01180030291. 3,并且發(fā)明名稱為 "具有增強(qiáng)的離子化和RF功率禪合的低電阻率鶴PVD"的發(fā)明專利申請的分案申請。 陽00引發(fā)明背景 發(fā)明領(lǐng)域 本發(fā)明的實施例一般設(shè)及形成集成電路的方法和設(shè)備。更特別地，本發(fā)明的實施 例設(shè)及用于形成柵電極及相關(guān)層的方法和設(shè)備。 相關(guān)技術(shù)的描述 陽〇化]集成電路可包括超過一百萬種W上的微電子器件，所述微電子器件例如...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。