技術(shù)編號(hào)：9507345
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。集成電路(Integrated Circuit,簡(jiǎn)稱1C)技術(shù)遵循“Moore定律”的發(fā)展進(jìn)入了納米尺度，來(lái)自短溝道效應(yīng)、寄生效應(yīng)以及量子隧穿等問(wèn)題的挑戰(zhàn)使得傳統(tǒng)的微電子器件技術(shù)越來(lái)越難以滿足1C技術(shù)持續(xù)發(fā)展的要求，特別是日益嚴(yán)重的功耗問(wèn)題，已經(jīng)成為延續(xù)“Moore定律”的最大瓶頸。隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TunnelingField Effect Transistor,簡(jiǎn)稱 TFET)米用帶帶隧穿物理機(jī)制，使其亞閾擺幅不受傳統(tǒng)M0SFET亞閾擺幅極限值KT/q...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。