技術(shù)編號：9510269
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在過去的幾十年里，對集成電路中的特征的縮放已經(jīng)成為日益增長的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)背后的驅(qū)動力?？s放至越來越小的特征實現(xiàn)了半導(dǎo)體芯片的有限區(qū)域(real estate)上增大密度的功能單元。例如，縮小的晶體管尺寸允許在芯片上含有增加數(shù)量的存儲設(shè)備，導(dǎo)致了具有增大容量的產(chǎn)品的制造。然而，對日益增大的容量的推動并不是沒有問題的。對每個設(shè)備的性能進行優(yōu)化的必要性變得日益顯著。嵌入式SRAM和嵌入式DRAM在非易失性以及軟錯誤率方面有問題，而嵌入式FLASH存儲器在制造期間需...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。