技術編號：9515836
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。絕緣柵場效應晶體管(IGFET)(諸如金屬氧化物半導體場效應晶體管(M0SFET))已經在許多電源開關應用(諸如dc-dc轉換器)中使用。在典型的M0SFET中，柵電極通過適當?shù)臇艠O電壓的應用提供導通和關斷控制。以舉例的方式，在η型增強型M0SFET中，響應于正柵電壓(其超過固有閾值電壓)的應用在導電η型反型層(即溝道區(qū)域)形成于ρ型主體區(qū)域中時發(fā)生導通。反型層將η型源極區(qū)域連接到η型漏極區(qū)域并允許這些區(qū)域之間的多數(shù)載流子傳導。具有柵電極形成于從半導體材料...
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