技術(shù)編號：9526689
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將能夠理解本發(fā)明所使用的用語，例如M0S (金屬氧化半導(dǎo)體)晶體管，包含NMOS (N型通道金屬氧化半導(dǎo)體)晶體管和PMOS (P型通道金屬氧化物半導(dǎo)體)，“柵極”、“源極”、“漏極”、“飽和區(qū)”用以耦接一 M0S晶體管。同時也應(yīng)能理解電子電路的基本概念，例如““電壓”、“電流”、“反相器”、“振蕩”、“頻率”、“周期”、“相位”和“磁滯”。像這些用語的基本概念都是顯而易見的現(xiàn)有技術(shù)文件，例如教科書“模擬CMOS集成電路設(shè)計”，貝赫拉扎維，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。