技術(shù)編號：9544946
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著工業(yè)界對電子器件性能需求的提升，其元器件的尺寸不斷減小，微米、納米電 子器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種大規(guī)模集成電路。這種小尺寸的電子器件電阻阻抗通常比較 大，使得焦耳熱效應(yīng)不可忽略。電子器件通道內(nèi)的局域阻抗非常小的變化，就有可能在電子 器件上產(chǎn)生局部高溫。局部高溫區(qū)域如果不被發(fā)現(xiàn)和處理，可能會導(dǎo)致器件性能退化或損 傷。為了避免對器件的災(zāi)難性破壞，準(zhǔn)確獲得局部高溫區(qū)域的位置至關(guān)重要。但是，局域高 溫位置不僅依賴于器件設(shè)計，還與集成電路的質(zhì)量有關(guān)，往往很難先驗...
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