技術(shù)編號(hào)：9546885
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中NAND混合存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖，以NAND閃存做存儲(chǔ)介質(zhì)混合而成的NAND混合存儲(chǔ)器如圖1所示，第一級(jí)為單層單元型NAND芯片(SLC)，第二級(jí)為雙層單元型NAND芯片(MLC)，第三級(jí)為三層單元型NAND芯片(TLC)依次類推和最后一級(jí)3D-NAND型芯片，這幾種類型的芯片由存儲(chǔ)邏輯控制器控制對(duì)其進(jìn)行讀寫操作以及執(zhí)行一些特定算法，比如數(shù)據(jù)管理，磨損均衡等。圖2為這幾種類型的存儲(chǔ)器優(yōu)缺點(diǎn)比較圖。如圖2所示，在NAND混合存儲(chǔ)器中，這四種芯片...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。