技術(shù)編號：9549406
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種內(nèi)襯、內(nèi)襯的制備方法及反應(yīng)腔室。背景技術(shù)等離子體加工設(shè)備廣泛用于對被加工工件進行刻蝕、沉積等工藝。以刻蝕工藝為例，其過程是多個材料層交替沉積在被加工工件表面上；在被加工工件上涂覆光刻膠，通過光刻技術(shù)將被加工工件表面上的光刻膠曝光，使其可溶或不可溶于顯影液，并將可溶于顯影液的光刻膠去除；在反應(yīng)腔室內(nèi)生成等離子體，通過等離子體與被加工工件上未覆蓋光刻膠的區(qū)域發(fā)生一系列的物理或化學(xué)反應(yīng)，將該區(qū)域刻蝕掉，從而在被加工工...
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