技術(shù)編號：9549442
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在集成電路的形成中，半導體器件形成在半導體襯底上，然后通過金屬層連接。通常情況下，金屬層的形成工藝包括形成金屬間電介質(zhì)aMD)，在ηω中形成溝槽和通孔開口，以及在溝槽和通孔開口中填充金屬材料以分別形成金屬線和通孔。然而，隨著集成電路不斷按比例縮小，上述工藝存在缺陷。在水平尺寸(例如，相鄰的多晶硅線之間的多晶娃至多晶娃(poly-to-poly)節(jié)距)持續(xù)縮小的同時，金屬線和通孔的尺寸減小。然而，MD的厚度沒有相應(yīng)地以與金屬線和通孔的寬度相同的縮減比例減小。...
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