技術(shù)編號：9549540
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。已知技術(shù)中，背感光式半導體結(jié)構(gòu)必須具有足夠大的浮動擴散區(qū)，以當感光元件的光感測區(qū)感光而產(chǎn)生電荷之后，能夠藉由浮動擴散區(qū)的等效電容效應來儲存電荷。但在背感光式的半導體結(jié)構(gòu)中，由于浮動擴散區(qū)也在入射光線的照射范圍之內(nèi)，同時不像前感光式半導體結(jié)構(gòu)一般，具有金屬層等屏蔽結(jié)構(gòu)，因此浮動擴散區(qū)也可能會受到入射光線的影響而產(chǎn)生光電反應，這對于感光信號的判斷會產(chǎn)生干擾，同時使得信號信噪比下降。為了減少浮動擴散區(qū)受到感光影響，已知技術(shù)有使用盡量降低浮動擴散區(qū)面積的作法，以避...
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