技術(shù)編號(hào)：9556905
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，電力電子器件正沿著大功率化、高頻化的方向發(fā)展，其中IGBT功率模塊集成度的不斷提高，功率不斷增大，使得工作溫度不斷上升，對(duì)基板的散熱提出更高要求。鋁、銅作為基板材料具有高的導(dǎo)熱率，但是其膨脹率較高，導(dǎo)致工作溫度變化時(shí)，基板與焊接元器件之間的脫離，造成設(shè)備失效。因此基板材料需要較低的密度、較低的膨脹率和較高的導(dǎo)熱率。為了滿足基板性能的要求，高體積分?jǐn)?shù)的碳化硅鋁基復(fù)合材料具有較高的導(dǎo)熱率和較低的膨脹率，成為理想的IGBT模塊基板材料。目...
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