技術(shù)編號(hào)：9565631
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體，具體地，涉及雙端口靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單J L.ο背景技術(shù)在深亞微米級(jí)集成電路技術(shù)中，嵌入的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)器件已經(jīng)成為了具有高速的通信、圖像處理和片上系統(tǒng)(S0C)產(chǎn)品的受歡迎的存儲(chǔ)單元。例如，雙端口(DP) SRAM器件允許并行操作，諸如在一個(gè)周期中1R(讀)1W(寫)或2R(讀)，因而其帶寬高于單端口 SRAM的帶寬。在具有減小的部件尺寸和增大的封裝密度的先進(jìn)技術(shù)中，單元結(jié)構(gòu)的低負(fù)載和高速度是嵌入式存儲(chǔ)器和S0C產(chǎn)...
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