技術(shù)編號：9565820
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。由于高速、高密度、小尺寸和多功能電子裝置的強烈需求所驅(qū)動，利用穿硅通孔(TSV)結(jié)構(gòu)的三維(3D)集成電路已成為近年的流行。穿硅通孔結(jié)構(gòu)是完全延伸穿過半導體基材的通孔開口，并使得基材上面和下面的裝置能夠彼此耦接，還有與基材內(nèi)部的組件耦接。為了解決覆晶封裝科技的需要，娃中介層(interposer)與穿娃通孔已成為一種提供高密度互連、最小化晶粒與中介層之間熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配的良好解決方案，并且，由于從芯片到基材的短內(nèi)連，提供了電性效能上的改善。然而，...
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