技術編號：9565934
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 當使用半導體工藝設計和制備高壓金屬氧化物半導體（HVMO巧晶體管器件（例如 橫向擴散（LD)HVMOS器件）時，一個關注的焦點是在給定晶體管的特定導通電阻（RdsJ和 擊穿電壓度V)之間取得可接受的折衷。由于還期望在不導致給定LDMOS器件的器件性能 特征顯著退化的情況下縮小器件的尺寸和相應的晶粒（忍片）尺寸，所W要實現(xiàn)運種折衷 并不容易，而器件性能特征的退化可起因于器件設計方面并且由在開發(fā)工藝的過程中為給 定半導體工藝選擇的處理參數(shù)（例如滲雜度）而引起...
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