技術(shù)編號(hào):9568721
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。—直以來,通過在非氧化性氣氛中對(duì)硅晶圓的表層缺陷(C0P)進(jìn)行熱處理,來消滅表層C0P。在高溫?zé)崽幚淼那闆r下,常使用SiC夾具,且熱處理過的單晶硅晶圓(以下簡稱為硅晶圓)的取出環(huán)境含有氧、碳氧化物,它們會(huì)成為硅晶圓的碳污染源。被碳污染的硅晶圓會(huì)在器件工序中形成缺陷而誘發(fā)漏電流等。另外,被污染的碳會(huì)成為碳施體(炭素卜''i ),產(chǎn)生器件的Vth (threshold voltage,閾值電壓)偏移,而成為器件動(dòng)作不良的原因。此處,作為硅晶圓的碳污染對(duì)策,專利...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。