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      硅晶圓的熱處理方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):9568721

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      —直以來,通過在非氧化性氣氛中對(duì)硅晶圓的表層缺陷(C0P)進(jìn)行熱處理,來消滅表層C0P。在高溫?zé)崽幚淼那闆r下,常使用SiC夾具,且熱處理過的單晶硅晶圓(以下簡稱為硅晶圓)的取出環(huán)境含有氧、碳氧化物,它們會(huì)成為硅晶圓的碳污染源。被碳污染的硅晶圓會(huì)在器件工序中形成缺陷而誘發(fā)漏電流等。另外,被污染的碳會(huì)成為碳施體(炭素卜''i ),產(chǎn)生器件的Vth (threshold voltage,閾值電壓)偏移,而成為器件動(dòng)作不良的原因。此處,作為硅晶圓的碳污染對(duì)策,專利...
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