技術(shù)編號(hào)：9580360
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種電平移位器，可整合至用于NAND存儲(chǔ)器陣列的譯碼器。背景技術(shù)有關(guān)大容量NAND快閃(flash)設(shè)計(jì)，長(zhǎng)的字線可適應(yīng)陣列中的所有存儲(chǔ)器單元，卻具有不被允許的電容負(fù)載。因此，存儲(chǔ)器陣列被切分(divide)為多個(gè)具有不同譯碼組的字線的分區(qū)(partit1n)，使得同一個(gè)分區(qū)之中的字線具有較低、可被允許的電容負(fù)載。此多個(gè)譯碼器各自包含P型及η型晶體管，串連在高電壓參考如VDD及低電壓參考如接地或負(fù)電壓參考之間。圖1繪示的大容量存儲(chǔ)器切分為具有...
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