技術(shù)編號(hào):9580735
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。為了減小在功率半導(dǎo)體器件中的開(kāi)關(guān)損耗,期望減小在功率半導(dǎo)體器件的晶體管單元之間的距離。允許晶體管單元的收縮的一個(gè)嘗試是保持在功率半導(dǎo)體器件的鄰近溝槽之間的溝道形成區(qū)的大小小。因?yàn)榇笮p小或節(jié)距收縮需要待形成的各個(gè)結(jié)構(gòu)的較高調(diào)整,自調(diào)整工藝被越來(lái)越多地使用。晶體管單元的節(jié)距收縮的一個(gè)結(jié)果是柵極導(dǎo)體或其它導(dǎo)電特征的電阻的增加。一般,高摻雜多晶硅用作柵極導(dǎo)體或其它導(dǎo)電特征的導(dǎo)電材料,因?yàn)槎嗑Ч杩扇菀妆怀练e和處理。然而,多晶硅的比電阻與由多晶硅制成的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的減小...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。