技術(shù)編號：9580816
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。[000引平面娃片對入射光具有30%-40%的反射率，較低的光吸收效率降低了 Mo(V平面 娃異質(zhì)結(jié)太陽能電池短路電流密度，進而導致光電轉(zhuǎn)換效率較低。娃納米線陣列除具有半 導體所具有的特殊性質(zhì)外，還具有獨特的光學、電學和化學性能，在納米電子器件、光電子 器件W及新能源等方面顯示出良好的應用前景。對娃納米線陣列光吸收譜的測試發(fā)現(xiàn)，僅 需幾微米厚度的娃納米線陣列就可W實現(xiàn)高效的光吸收，送說明與現(xiàn)有的晶體娃光伏電池 (厚度> 100微米）相比，娃納米線陣列...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。