技術(shù)編號：9599028
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。—直以來，此種薄膜電容器是通過在Si基板上依次形成下部導(dǎo)體、電介質(zhì)薄膜、上部導(dǎo)體而形成的。在利用該方法制作薄膜電容器的情況下，無法將薄膜電容器的厚度設(shè)為對容量沒有貢獻的Si基板的厚度以下，所以，為了促進小型化及薄型化，需要實現(xiàn)不需要基板的構(gòu)造或制造方法。為了降低制造成本，可以考慮通過在成為電介質(zhì)層的電介質(zhì)生片的兩個主面上，壓接成為導(dǎo)體層的導(dǎo)體生片而進行燒成，來制造薄膜電容器的方法。但是，由于用電介質(zhì)生片和導(dǎo)體生片形成的電容器部是厚度通常在100 μπι以下...
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