技術(shù)編號(hào)：9599173
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體晶圓加工的激光退火通常可以在大氣環(huán)境中進(jìn)行激光處理，比如離子注入雜質(zhì)的激活。但是，由于形成硅化物的某些金屬，比如鈦，更易于被空氣中的氧氣所氧化，導(dǎo)致在晶圓上激光合成硅化物時(shí)，必須對(duì)其進(jìn)行保護(hù)，以避免其在形成硅化物時(shí)被空氣中的氧氣所氧化?，F(xiàn)有技術(shù)下，在晶圓上激光合成硅化物時(shí)，一般將晶圓置于真空腔體內(nèi)進(jìn)行激光加工。而增加真空腔體及其抽真空機(jī)組使得激光退火系統(tǒng)變得龐大和復(fù)雜，而且對(duì)于大多數(shù)可以在大氣環(huán)境下進(jìn)行的激光退火而言是完全沒有必要和十分浪費(fèi)的。發(fā)明內(nèi)...
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