技術(shù)編號：9617250
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。鰭式場效應(yīng)晶體管(Fin Field-Effect Transistor, FinFET)是一種新型的多門3D晶體管，和傳統(tǒng)的平面型晶體管相比，F(xiàn)inFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優(yōu)勢。由于Fin的寬度很小，14/16nm器件其寬度一般為10nm左右，米用目前的光刻設(shè)備進(jìn)行一次光刻、刻蝕很難進(jìn)行控制，目前比較通用的形成Fin(鰭片)的工藝為自對準(zhǔn)二次圖形曝光(self-aligned double-pattering, SADP)工藝。通過SAD...
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