技術(shù)編號(hào)：9617477
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 作為半導(dǎo)體裝置的一種，已知具有三維結(jié)構(gòu)的NAND型閃存設(shè)備。在具有三維結(jié) 構(gòu)的NAND型閃存設(shè)備的制造中，進(jìn)行以下工序?qū)νㄟ^交替地設(shè)置介電常數(shù)不同的兩層而 構(gòu)成的多層膜進(jìn)行蝕刻，在該多層膜形成深孔。關(guān)于這樣的蝕刻，記載在下述的專利文獻(xiàn)1 中。 具體而言，在專利文獻(xiàn)1中記載了以下方法將多層膜上具有掩模的被處理體暴 露于含有HBr氣體、C4FS氣體和BC13氣體的處理氣體的等離子體中，由此對(duì)該多層膜進(jìn)行蝕 亥IJ。在專利文獻(xiàn)1中所記載的方法中，利用源自于HB...
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