技術(shù)編號(hào):9617598
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。射頻LDMOS (Rad1 Frequency Laterally Diffused Metal OxideSemiconductor,射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)是被廣泛應(yīng)用在廣電發(fā)射基站、移動(dòng)發(fā)射基站、雷達(dá)等的具有高增益、高線性、高耐壓、高輸出功率的射頻功率器件。常見(jiàn)的射頻RFLDM0S器件如圖1所示,包括如下結(jié)構(gòu)源極7、漏極5、柵極11、溝道3及法拉第屏蔽環(huán)10等。器件位于在重?fù)诫s的基板1的生長(zhǎng)的外延層2中,漏端有一個(gè)較長(zhǎng)的漂移區(qū)4以得到所需的擊...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。