技術(shù)編號：9621069
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在諸如SDRAM的半導(dǎo)體存儲器件中，通過例如連同激活命令輸入行地址，以及連同讀取命令/寫入命令輸入列地址來實施訪問。然而，最近幾年，地址的長度(位數(shù))已經(jīng)隨著半導(dǎo)體存儲器器件的存儲容量的增加而增加。附圖說明圖1是根據(jù)第一實施例的MRAM的框圖；圖2是存儲器單元陣列和冗余區(qū)域的電路圖；圖3是熔斷器盒和冗余判斷電路的電路圖；圖4是MTJ元件的截面圖；圖5是示出MRAM操作的時序圖；圖6是示出根據(jù)第二實...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。