技術(shù)編號：9647812
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。如圖1及圖2所示是目前的工藝中HV PHDM0S的結(jié)構(gòu)(圖2是垂直于溝道的剖面圖)。由于器件的工作時的Vg為24V，而場開啟電壓約在12V，所以當(dāng)柵壓加到工作電壓24V時，在多晶硅柵下的場區(qū)會被開啟，處于導(dǎo)通狀態(tài)，在柵下面的場區(qū)形成額外的電流通路(如圖1中箭頭所示)，使導(dǎo)通電流異常增加。這在Id-Vg曲線上體現(xiàn)為雙包(DoubleHump)，如圖3所示圓圈處所示。雙包在窄溝道時尤其明顯。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供高壓LDM0S器件的結(jié)構(gòu)，減小器...
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