技術編號：9650259
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 如今，使用氧化鋁膜或氧化鎂膜等絕緣膜例如作為MRAM(磁阻內存）的隧道勢皇， 使用濺射（以下稱為"濺射"）裝置以便生產性良好地形成絕緣膜。在該裝置中，將基板和 絕緣體靶（以下也稱為"靶"）相對配置在真空室內并向真空室內導入濺射氣體，與之配合 地向靶施加交流電在基板與靶之間的空間中形成等離子體濺射靶的濺射面，使飛散出的濺 射粒子附著并堆積在基板上形成絕緣膜。目前，已知例如在專利文獻1中，為防止等離子體繞到靶的側面濺射到靶以外的 部件（例如背板），在將靶組裝...
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