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      一種反射式NEA GaN納米線陣列光電陰極及制備方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號:9669027

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      光電陰極是一種利用外光電效應(yīng)將光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘柕墓怆姲l(fā)射材料。具有負電子親和勢的GaN光電陰極,即陰極表面真空能級低于導(dǎo)帶底能級,因此體內(nèi)光激發(fā)電子只需運行到表面,就可通過隧穿發(fā)射到真空,無需過剩動能去克服材料表面的勢皇,使光激發(fā)電子的逸出幾率大大增加,因此具有量子效率高、暗電流小、發(fā)射電子能量分布集中等獨特優(yōu)點。其量子效率一般大于24%,大大高于傳統(tǒng)的紫外光電陰極的量子效率,并且,GaN材料響應(yīng)在400nm以下,是典型的“日盲”材料,具有良好的抗輻射能...
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