技術(shù)編號(hào)：9673164
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明設(shè)及利用超小型發(fā)光二極管（L邸，Li曲t-emittingdiode)電極組件的發(fā) 光二極管燈，更詳細(xì)地，設(shè)及使光提取效率極大化并W不存在短路的方式使納米單位的超 小型發(fā)光二極管元件與超小型電極相連接的利用超小型發(fā)光二極管電極組件的發(fā)光二極 管燈。背景技術(shù) 隨著1992年日本日亞化學(xué)工業(yè)的中村等人適用低溫的氮化嫁（GaN)化合物緩沖 層來成功融合出優(yōu)質(zhì)的單晶體氮化嫁氮化物半導(dǎo)體，導(dǎo)致發(fā)光二極管的開發(fā)變得活躍。發(fā) 光二極管作為利用化合物半導(dǎo)體的特性來...
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