技術(shù)編號：9689359
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說明 本專利申請要求于2014年9月18日在美國專利商標(biāo)局提交的第62/052, 076號 美國臨時專利申請和于2015年1月23日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0011322號 韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，以上專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。 本公開涉及一種半導(dǎo)體裝置和制造該半導(dǎo)體裝置的方法。更具體地講，發(fā)明構(gòu)思 涉及包括場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。背景技術(shù) 半導(dǎo)體裝置由于其小尺寸、多功能特性和/或低制造成本而在電子工業(yè)中廣泛地...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。