技術編號：9689959
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 本發(fā)明涉及一種雙肩脊條的GaAs-基激光器的制備方法及利用該方法制備的 GaAs-基激光器，屬于半導體的。背景技術 半導體激光器是利用半導體電子光躍迀引起光子受激發(fā)射而產(chǎn)生的光振蕩器和 光放大器的總稱。半導體激光器自問世以來，作為一種新型的光源，由于其本身的一些優(yōu) 點，例如體積小、功率高、壽命長、使用方便等，在各領域備受青睞。但是半導體激光器的制 備工藝步驟多，工藝線比較長，尤其是光刻工藝。光刻工藝是利用光刻膠通過曝光、顯影等， 將掩膜版上的圖形轉移到晶...
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