技術編號：9694460
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 在半導體中，相變存儲器（PCRAM)以其低功耗、尺寸易于小型化、高讀寫 速度等優(yōu)點而成為非易失性存儲器的首選。基于上述有優(yōu)點，相變存儲器不僅能夠取代現(xiàn) 有的存儲器，而且還在普通存儲器達不到的一些領域（諸如空間、航天技術和軍事等領域） 產(chǎn)生新的應用。 相變材料通過電脈沖引起的局部發(fā)熱而將其相態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)和非晶態(tài)，相變存儲 器就是利用該特性存儲二進制信息的半導體器件。然而，相變材料的體收縮問題一直是本 領域亟待解決的技術問題。 利用相變材料制造相變存儲器或者...
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