技術(shù)編號(hào)：9709858
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。氣相外延法是生長(zhǎng)高純度半導(dǎo)體材料的一種重要方法，是指密閉的反應(yīng)腔體內(nèi)放入晶圓襯底，在適當(dāng)?shù)臏囟葔毫l件下，反應(yīng)氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成物沉積在晶圓襯底的表面。沉積在晶圓表面材料的均勻性是評(píng)價(jià)這種材料質(zhì)量的重要指標(biāo)，通過旋轉(zhuǎn)放置晶圓襯底的石墨盤載物臺(tái)，帶動(dòng)晶圓襯底旋轉(zhuǎn)，是提高這種均勻性地重要方法。用于規(guī)模化生產(chǎn)的外延生長(zhǎng)設(shè)備采用機(jī)械手裝卸晶圓片。根據(jù)不同規(guī)格的晶圓襯底，石墨盤上表面有大小與之匹配、數(shù)量不同的淺凹槽，機(jī)械手通過反應(yīng)室一側(cè)的縫隙將晶圓襯底放置到石墨盤...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。